VGF单晶炉
VGF单晶炉主要用于砷化镓、锑化镓、锗等化合 PAN S 物半导体材料的单晶生长。
VTM碲锌镉单晶体生长炉
碲锌镉单晶炉是依据我公司自主研发的VTM工艺方法所设计的新型单晶工艺设备, 设备由加热系统、运动系统支撑机构、电控系统四部分组成，适用碲锌镉、碲化镉、锑化镓等多种化合物半导材料的单晶生长。
多晶合成炉
多晶合成炉主要用于GaAs、CdTe等多种化合物材料的多晶合成工艺。
氧化物单晶生长炉
可用于“第四代”半导体单晶材料，氧化镓Ga2O3等氧化物材料晶圆的生长制造。
真空镀碳炉
卧式管状加热炉主要应用在半导体晶体材料的生长工艺过程中，对石英坩埚内壁镀碳处理，能够有效阻隔高温溶体与石英坩埚的反应，有利于完整、高质量单晶体的生产。
