VGF单晶炉
VGF单晶炉主要用于砷化镓、锑化镓、锗等化合 PAN S 物半导体材料的单晶生长。
VTM碲锌镉单晶体生长炉
碲锌镉单晶炉是依据我公司自主研发的VTM工艺方法所设计的新型单晶工艺设备, 设备由加热系统、运动系统支撑机构、电控系统四部分组成,适用碲锌镉、碲化镉、锑化镓等多种化合物半导材料的单晶生长。
多晶合成炉
多晶合成炉主要用于GaAs、CdTe等多种化合物材料的多晶合成工艺。
氧化物单晶生长炉
可用于“第四代”半导体单晶材料,氧化镓Ga2O3等氧化物材料晶圆的生长制造。
真空镀碳炉
卧式管状加热炉主要应用在半导体晶体材料的生长工艺过程中,对石英坩埚内壁镀碳处理,能够有效阻隔高温溶体与石英坩埚的反应,有利于完整、高质量单晶体的生产。
电子束蒸发镀膜机
电子束蒸发镀膜机可蒸镀金属薄膜、介质薄膜、光学薄膜。如在半导体或融石英、微晶玻璃基片上蒸镀MgF2等介质薄膜,MgF2蒸发厚度为10-150nm,在10^4Pa高真空时镀铝的厚度为5-3000nm,膜层结合力良好,表面呈银白色。蒸发速率稳定。具有一定的小批量生产能力。设备运行稳定、可靠,能够连续24小时工作。该设备所有零部件是全新产品,技术成熟,操作直观简便,设备易于维护和维修。